特点
● 我们提供少量使用高纯度材料制成的具有实际研究和开发经验的晶圆。
规格
● 尺寸(英寸)×传导型:2×P型
● OF长(mm)×晶片厚(μm):17.5±2.5×280±25
● 制造方法:CZ法
● 面方位:100
● OF位置:110
● 电阻值:0.1~100Ω・cm低电阻:≦0.02Ω・cm、高电阻:≧500Ω・cm
● 微粒:无需微粒
● 本产品使用半导体用结晶材料制造加工而成，无法对应有关材料纯度的证明。
● 方向角(切割角度)、OF位置角公差和厚度公差可加工得更小、更精确，从而可在蚀刻过程中精确地形成凹槽。
● 可进行多种形状加工和表面处理(示例:沉孔、钻孔和氧化膜晶片)。
● 可以配合您希望的电阻率、晶片厚度。
● 有关8英寸和12英寸机型，请随时与我们联系(最低25个单位)。