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研究用高纯度硅晶片    
研究用高純度シリコンウェハー WAFER

作为研究・开发用途有一定实际业绩，供应从少量起步的采用高纯度材料的晶片。

品牌其他
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规格


● 制造方法：CZ法
● 平面方位：100
● OF位置：110
● 电阻值：0.1～100Ω・cm　※低电阻：≦0.02Ω・cm、高电阻：≧500Ω・cm
● 粒子：2-960-01～08／不论粒子、 2-960-51～62／≧0.3um、10个以下
● 符合RoHS2 (EU)2015/863

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※专门订购品：●可进行方位（裁切角度）、OF位置角度公差、厚度公差更小的高精度加工，通过蚀刻进行准确的沟槽形成。●可进行多样化的形状加工和表面处理（例：锪孔加工、穿孔加工、氧化膜包衣晶片）。●可根据所希望的电阻率、晶片厚度进行对应。

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